2단계 원자층증착법에 의한 ＴａＮ 박막 증착방법

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 질화탄탈륨(TaN) 박막형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 절연물질인 Ta3N5 상의 형성을 막고 낮은 비저항과 확산방지막이 우수한 TaN를 형성시키기 위하여 2단계 원자층증착법(Two-step ALD: Two-step Atomic Layer Deposition)을 이용하여 TaN을 형성시킨다.2단계 원자증착법은 탄탈륨(Ta)을 포함한 무기화합물 전구체와 수소 플라즈마를 이용하여 Ta 단위 원소를 원자층으로 형성시키는 1단계와, 질소(N) 소스를 주입하여 질화시킴으로써 TaN 원자층을 형성시키는 2단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.본 발명의 TaN박막은 낮은 비저항과 확산방지막이 우수하여 반도체소자공정, 금속배선공정, 캐패시터의 전극 등 분야에 널리 이용될 수 있다.