분자소자와 바이오 센서를 위한 나노갭 또는 나노 전계효과 트랜지스터 제작방법Manufacturing method of Nanogap or nanoFET for molecular device and bio-sensor
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-21T00:42:00Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-21T00:42:00Z | - |
| dc.date.issued | 2007-01-31 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/236841 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 분자소자나 바이오 센서(bio-sensor)를 위한 나노갭(nanogap) 및 나노 전계효과 트랜지스터(nanoFET) 제작 방법에 관한 것으로, 상세하게는 분자 또는 그에 준하는 크기의 박막을 이용하여 재현성이 높은 나노갭(nanogap)의 제작 방법 등에 관한 것이다.본 발명에 따른 나노갭(nanogap)의 제작 방법은, (a) 실리콘 기판, 절연막, 제1 금속층 및 하드 마스크를 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 제1 금속층을 식각하는 단계; (c) 상기 실리콘 기판 상에 나노갭을 형성하기 위하여 제1 금속층 측면에 SAM(Self-Assembled Monolayer)을 형성하는 단계; (d) 상기 실리콘 기판 상에 제2 금속층을 형성하기 위하여 금속을 증착하는 단계; (e) 상기 (a)단계에서 형성된 하드 마스크를 식각하여 하드 마스크 위에 증착된 금속을 리프트-오프(lift-off) 고정을 이용하여 제거하는 단계; 및 (f) 상기 (c)단계에서 형성된 SAM을 식각하여 나노갭을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진다. | - |
| dc.title | 분자소자와 바이오 센서를 위한 나노갭 또는 나노 전계효과 트랜지스터 제작방법 | - |
| dc.title.alternative | Manufacturing method of Nanogap or nanoFET for molecular device and bio-sensor | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2005-0002294 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0679704-0000 | - |
| dc.date.application | 2005-01-10 | - |
| dc.date.registration | 2007-01-31 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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