커패시터리스 디램 소자 및 그 제조방법CAPACITORLESS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING THE SAME
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-21T00:41:51Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-21T00:41:51Z | - |
| dc.date.issued | 2011-09-27 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/236835 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 커패시터리스 디램 소자는 절연층이 형성된 기판; 상기 절연층 위에 형성된 부유바디; 상기 절연층 상에 상기 부유바디를 사이에 두고 이격되어 형성된 소오스 및 드레인; 상기 부유바디 상에 형성된 절연막; 상기 절연막 상에 형성된 게이트; 및 상기 부유바디로 빛을 통과시키고 상기 부유바디 이외의 영역으로 조사되는 빛을 차단하는 금속층을 포함하며, 상기 부유바디로의 빛의 조사에 의해 프로그램 상태로 트리거된다. | - |
| dc.title | 커패시터리스 디램 소자 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | CAPACITORLESS DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0106693 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1069559-0000 | - |
| dc.date.application | 2010-10-29 | - |
| dc.date.registration | 2011-09-27 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.