커패시터리스 디램 소자capacitorless DRAM device
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-21T00:41:44Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-21T00:41:44Z | - |
| dc.date.issued | 2011-09-05 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/236830 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 반도체 메모리 소자 등에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 커패시터리스 디램 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 일함수가 큰 게이트 전극을 이용한다. 이를 통해 낮은 전압으로 게이트 유도 드레인 누설전류(Gate Induced Drain Leakage)를 발생시켜 메모리의 상태를 구분한다. 낮은 전압 구동을 통해 전력 소모를 줄일 수 있을 뿐만 아니라 상태 검출 여유 또한 증가한다. 커패시터리스 디램(Capacitorless 1-T DRAM), 큰 일함수 게이트, 게이트 유도 드레인 누설전류(Gate Induced Drain Leakage), 핀(fin) 구조 부유 바디 | - |
| dc.title | 커패시터리스 디램 소자 | - |
| dc.title.alternative | capacitorless DRAM device | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2009-0041183 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1064229-0000 | - |
| dc.date.application | 2009-05-12 | - |
| dc.date.registration | 2011-09-05 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.