대규모 폴리곤의 래스터화를 통한 마스크리스 노광

Abstract

본 발명에 따른 마스크리스 노광 방법은 다수의 포인트 광들을 이용하여 기판을 노광시키기 위해, 입력된 패턴에서 반복되는 패턴 인스턴스를 추출하고, 패턴 인스턴스 내의 폴리곤을 스캔 방향에 평행하게 세분하여 슬라브들을 생성하며, 패턴 인스턴스 내에서, 포인트 광이 지나는 매 스캔 라인마다, 포인트 광이 점등되는 구간인 스캔 조각들을 상기 슬라브들로부터 계산하고, 스캔 조각들의 위치 정보를 가지는 스캔 데이터를 생성한다. 마스크리스 노광 방법은 스캔 데이터 중에서 점등 위치 정보를 반올림 처리하여 래스터화된 스캔 데이터를 생성하는 단계를 더 포함하고, 이렇게 래스터화된 스캔 데이터에 따라 다수의 포인트 광들이 이동 및 점멸함으로써 기판을 노광시킨다.