스트럭처드 주문형 반도체의 레이어 리소그래피 방법, 설계 방법 및 이에 사용되는 타일 마스크 셋Layer lithography method and design method of structured ASIC, and tile mask set used therein
선택적으로 패터닝되는 타일 마스크 셋 및 마스킹 마스크를 이용하는 스트럭처드 ASIC의 레이어 리소그래피 방법이 개시된다. 스트럭처드 ASIC의 레이어를 리소그래피하기 위하여, N개의 마스크 쌍들을 결정하며, 상기 N개의 마스크 쌍 중 타겟 마스크 쌍을 선택한다. 상기 타겟 마스크 쌍의 마스킹 마스크를 통해 1차 노광하고, 상기 타겟 마스크 쌍의 타일 마스크 셋을 통해 2차 노광한다. 상기 1차 노광 및 2차 노광된 웨이퍼를 식각하여 레이어를 선택적으로 리소그래피한다. 따라서, 디자인의 특성에 맞게 복수의 타일들을 적절히 배치하여 종래의 스트럭처드 ASIC의 비용 절감 효과를 유지하면서 성능을 향상시킬 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2012-07-05
- Application Date
- 2010-11-15
- Application Number
- 10-2010-0113142
- Registration Date
- 2012-07-05
- Registration Number
- 10-1164787-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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