광 저압 금속 유기 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용하는산화아연의 형성 방법 및 산화아연의 도핑 방법Apparatus for Photo-assisted Low Pressure MetalorganicChemical Vapor Deposition and method for forming ZincOxide using the apparatus and doping Zinc Oxide usingthe apparatus

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광 저압 금속 유기 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용하는 산화아연의 형성 방법 및 산화아연의 도핑 방법이 제공된다. 광 저압 금속 유기 화학 기상 증착 장치는 반응실, 하부에 기판이 부착되는 기판 접시, 반응 가스들이 유입되는 반응 가스 노즐 및 기판의 수평 방향으로 자외광을 투과시키는 석영창을 포함한다. 산화아연의 형성 방법은 (a) 수소 가스를 소정의 온도로 유지되는 수은을 통과시킨 후에 버블링된 원료 물질과 함께 반응 가스 노즐을 통해서 반응실의 내부로 유입시키는 단계 및 (b) 석영창을 통하여 부착된 기판의 수평 방향으로 자외광을 투과시켜 기판의 표면에 수소 도핑된 산화아연을 증착시키는 단계를 포함한다. 산화아연의 도핑 방법은 (a) 소정의 온도로 유지되는 수은을 통과시킨 수소 가스와 도핑 물질을 반응 가스 노즐을 통해서 반응실의 내부로 유입시키는 단계 및 (b) 석영창을 통하여 산화아연이 형성된 기판의 수평 방향으로 자외광을 투과시켜 기판에 형성된 산화아연을 도핑시키는 단계를 포함한다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2006-12-01
Application Date
2004-11-15
Application Number
10-2004-0092885
Registration Date
2006-12-01
Registration Number
10-0655461-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/236470
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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