컬렉터의 역방향 선택적 식각을 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법Method for fabricating Heterojunction Bipolar Transistor using lateral-reverse selective etching of collector
본 발명은 컬렉터의 역방향 선택적 식각을 이용한 이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 컬렉터의 역방향 선택적 식각을 이용하여 간단히 기생 캐패시턴스를 감소시키고 구조적으로 안정된 소자를 만들 수 있는 기술에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 일반적인 HBT 구조에서의 서브컬렉터층과 컬렉터층 사이에 서브컬렉터층을 보호하는 식각방지층 및 빠른 측면 식각율을 가지는 에피층을 추가로 제공하고, 먼저 빠른 측면 식각율을 가지는 에피층에 대해 선택적 측면 식각을 수행하고, 다음에 상기 에피층의 식각에 의해 얻어진 패턴을 마스크로 사용하여 컬렉터층에 대해 하부로부터 선택적 습식식각을 수행함으로써 베이스-컬렉터간의 기생 캐패시턴스를 감소시킨다.기생 커패시턴스, InP층, InGaAs층, DHBT, 하부 결정방향, 선택식각
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2004-10-28
- Application Date
- 2001-10-24
- Application Number
- 10-2001-0065567
- Registration Date
- 2004-10-28
- Registration Number
- 10-0456037-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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