DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 양동열 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:33:56Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T12:33:56Z | - |
dc.date.issued | 2006-04-19 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/235975 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 나노산업, 전자 및 광통신, 광메모리 분야 등에서 필수적으로 요구되는 나노급 정밀도를 가지는 미세한 3차원 자유곡면 형상을 단층으로 형성하는 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 미세한 3차원 자유곡면 형성방법은, 그림파일 정보를 기초로 광경화성 수지에 대한 가공크기를 달리하는 가공영역과 비 가공영역을 설정하는 단계, 설정된 가공영역과 비 가공영역을 아스키형태의 메트릭스로 변환하는 단계, 상기 메트릭스에 기초하여 가공영역에만 선택적으로 레이저를 조사하되 가공크기에 따라 레이저 조사시간을 달리하면서 조사하여 광경화성 수지를 단층으로 경화시키는 단계, 및 광경화성 수지에서 경화되지 않은 부분을 제거하여 그림파일과 동일한 3차원 자유곡면을 갖도록 완성하는 단계로 구성된다. 본 발명은 레이저를 이용하여 광경화성 수지를 직접적으로 경화시켜 나노급 정밀도를 가지는 미세한 3차원 자유곡면 형상을 단층으로 형성함으로써 공정시간을 단축하는 효과가 있다. | - |
dc.title | 미세한 3차원 자유곡면 형성방법 | - |
dc.title.alternative | Direct fabrication method of three-dimensionalmicro-scaled surfaces | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 양동열 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2004-0050154 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0573927-0000 | - |
dc.date.application | 2004-06-30 | - |
dc.date.registration | 2006-04-19 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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