일정한 벽의 개수를 가지는 질소 도핑 탄소나노튜브의 어레이 및 그 제조방법N-doped Carbon Nanotube Array Having Regular Wall-Number and Method for Manufacturing the Same

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본 발명은 일정한 벽의 개수를 가지는 질소 도핑 탄소나노튜브의 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 블록 공중합체 나노템플릿(nanotemplate)에 증착각도를 조절하여 금속촉매 어레이를 증착한 후, 열처리 및 화학적 기상증착법(PECVD)에 의해 성장시킨 것을 특징으로 하는, 일정한 벽의 개수를 가지는 질소 도핑 탄소나노튜브의 어레이 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 탄소나노튜브 제조 방법은 탄소나노튜브를 균일하게 대면적으로 제조할 수 있고, 금속촉매의 증착각도와 금속촉매의 크기를 조절하여 탄소나노튜브의 벽의 개수와 탄소나노튜브의 크기를 선택적으로 조절하는 것이 가능하고, 탄소나노튜브에 질소를 도핑시킴에 따라 우수한 전기전도도와 화학적 기능화 특성을 가진 탄소나노튜브 어레이를 제조할 수 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2011-12-06
Application Date
2009-06-08
Application Number
10-2009-0050354
Registration Date
2011-12-06
Registration Number
10-1093201-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/235892
Appears in Collection
MS-Patent(특허)
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