블록공중합체를 이용한 멀티저항 특성의 상변화 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 멀티저항 특성의 상변화 메모리 소자Method for manufacturing phase-change memory device having multi-resistance using block copolymer and multi-layered phase-change memory device having multi-resistance manufactured by the same
블록공중합체를 이용한 멀티저항 특성의 상변화 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 멀티저항 특성의 상변화 메모리 소자가 제공된다.본 발명에 따른 블록공중합체를 이용한 멀티저항 특성의 상변화 메모리 소자 제조방법은 기판 상에 하부전극층을 적층하는 단계; 상기 하부전극층 상에 2개 이상의 단위 상변화층이 순차적으로 적층된 상변화층을 적층하는 단계; 상기 상변화층상에 블록공중합체를 도포한 후, 열처리하여 자기조립시키는 단계; 상기 자기조립된 블록공중합체 중 일부 중합체 블록 영역을 선택적으로 제거하여, 패턴된 블록공중합체 주형을 제조하는 단계; 상기 패턴된 블록공중합체 주형 상에 마스크용 금속층을 적층한 후, 상기 블록공중합체 주형을 제거하는 단계; 및 상기 마스크용 금속층 및 상변화 메모리 소자층을 반응성 이온식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 상변화 메모리 소자 제조방법은 블록공중합체의 자기조립 구조를 이용, 상변화막을 기판에 제조하므로, 대면적의 기판 위에 원하는 크기의 상변화 메모리 소자를 효과적으로 제조할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2013-12-03
- Application Date
- 2011-06-27
- Application Number
- 10-2011-0062253
- Registration Date
- 2013-12-03
- Registration Number
- 10-1339400-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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