DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 양승만 | ko |
dc.contributor.author | 유형균 | ko |
dc.contributor.author | 최대근 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:11:17Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T12:11:17Z | - |
dc.date.issued | 2006-03-02 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/235540 | - |
dc.description.abstract | 본 발명의 제 1측면에 따른 양각배열패턴의 형성방법은, 양각으로 패턴화된 마스터의 상면에 연성의 제1고분자를 적층시키고 경화처리하여 음각의 패턴을 형성하는 단계; 음각의 패턴이 형성된 제 1고분자층을 마스터로부터 분리하고 상기 패턴내에 소정의 제 1입자를 충진하는 단계; 패턴이 형성된 제 1고분자층의 상면에 점착성의 제 2고분자를 적층시켜 상기 제 1입자로 구성되는 양각의 패턴을 상기 제 2고분자층의 표면에 부착시키는 단계; 및 상기 제 2고분자층을 상기 제 1고분자층으로부터 분리하고 상기 제 2고분자층에 형성된 홈에 제 2입자를 충진하는 단계를 포함하는 양각배열패턴의 형성방법을 제공한다. 또한, 본 발명의 제 2측면에 따른 방법은, 양각으로 패턴화된 마스터의 상면에 연성의 고분자를 적층시키고 경화처리하여 음각의 패턴을 형성하는 단계; 음각의 패턴이 형성된 고분자층을 마스터로부터 분리하고 상기 패턴 내에 소정의 제1입자를 충진하는 단계; 상기 고분자층의 음각의 패턴이 형성된 면에 소정의 기판을 부착시키는 단계; 상기 고분자층을 식각하여 상기 기판상에 상기 제1입자로 구성되는 양각패턴을 형성하는 단계; 및 상기 기판상에 형성된 홈에 제2입자를 충진하는 단계를 포함하는 양각배열패턴의 형성방법을 제공한다. | - |
dc.title | 미세전자 및 광학소자제작에 유용한 규칙적인 양각 패턴의형성방법 | - |
dc.title.alternative | Fabrication Method of Patterned Relief Arrays Usefulto Microelectronics and Optical Devices | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 양승만 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 유형균 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 최대근 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2003-0042674 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0558967-0000 | - |
dc.date.application | 2003-06-27 | - |
dc.date.registration | 2006-03-02 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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