비등방성 식각 특성을 이용한 서브마이크론 에미터 제조방법

Abstract

본 발명은 비등방성 식각 특성을 이용하여 자기 정렬이 가능한 서브마이크론 에미터 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 서브마이크론 에미터 제조방법은, 반도체 기판 위에 베이스 영역과 에미터 영역이 순차적으로 형성된 이종접합쌍극트랜지스터 구조 위에 InGaAs층을 포함하는 더미 에미터를 적층하는 제 1 단계와; 상기 더미 에미터 위에 제 1 선폭(L1)을 포토레지스트를 사용하여 정의하는 제 2 단계와; 상기 제 2 단계에서 정의된 부분의 상기 InGaAs층을 선택적으로 비등방성 식각하여 상기 에미터 영역과 접하는 바닥면이 상기 포토레지스트에 정의된 제 1 선폭(L1)보다 작은 제 2 선폭(L2)이 되도록 만드는 제 3 단계와; 상기 제 3 단계의 비등방성 식각홈에 접촉금속을 증착하고 상기 접촉금속 주위의 상기 더미 에미터를 식각하여 에미터 전극을 형성하는 제 4 단계와; 상기 에미터 전극을 마스크로 하여 상기 에미터 영역을 비등방성 식각하여 상기 베이스 영역과 접하는 바닥면이 상기 제 1 선폭(L1)보다는 작고 제 2 선폭(L2)보다는 큰 제 3 선폭(L3)이 되도록 만드는 제 5 단계를 포함한다.서브마이크론, 에미터, 비등방성 식각, HBT