에이에프엠을이용한비휘발성메모리소자와해당메모리소자의운영방법NON-VOLATILE ELEMENT OPERATED BY AFM AND THE OPERATING METHOD THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 홍성철 | ko |
| dc.contributor.author | 손희수 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:10:54Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T12:10:54Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/235524 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 실리콘 기판의 상부에 소정 두께의 실리콘 산화막이 형성되어 있으며 실리콘 산화막의 내부에 제1 전도성 물질의 이온 주입으로 인해 전자의 포획가능한 소정크기를 갖는 다수개의 나노 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 제공하고 그에 따라 미소부분에 국부적으로 전계를 걸어 줄 수 있는 AFM 팁을 상기 반도체 소자의 소정 높이에 위치시키는 제 1 단계와, 제 1 과정을 통하여 소정의 높이를 유지하는 상태에서 AFM 팁에 특정 임계전압 이상의 전압을 걸어주어 AFM 팁 아래 의 특정부분에 전기적 필드를 형성되는 제 2 단계와, 제 2 단계를 통하여 형성된 전기적 필드에 의하여 실리콘 산화막 내부에 형성되어 있는 나노 크리스탈에 실리콘 기판으로부터 발생된 자유전자가 포획되는 제 3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다수개의 나노 크리스탈들이 형성되어 있는 반도체 소자를 이용한 데이터 저장 방법을 제공한다.비휘발성 메모리, 운영방법, AFM | - |
| dc.title | 에이에프엠을이용한비휘발성메모리소자와해당메모리소자의운영방법 | - |
| dc.title.alternative | NON-VOLATILE ELEMENT OPERATED BY AFM AND THE OPERATING METHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 홍성철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 손희수 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1997-0030776 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0265692-0000 | - |
| dc.date.application | 1997-07-03 | - |
| dc.date.registration | 2000-06-16 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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