전계효과 트랜지스터의 게이트 유기 드레인 누설전류를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법THE BIOSENSOR USING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE OF FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 최성진 | ko |
| dc.contributor.author | 김지연 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:05:09Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T12:05:09Z | - |
| dc.date.issued | 2013-03-19 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/235363 | - |
| dc.description.abstract | 전계효과 트랜지스터를 이용한 바이오센서에 관한 것으로서, 전계효과 트랜지스터 소스(source)와 드레인(drain) 또는 드레인에 바이오 분자의 흡착 또는 탈착에 의해 생기는 전기적 특성 변화 효과를 게이트 유기 드레인 누설 전류를 통해 검출하는 것을 특징으로 하는 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 실시예에 따른 바이오 센서는 게이트 전극 및 드레인 전극을 구비한 전계효과 트랜지스터를 포함하고, 게이트 전극과 드레인 전극 사이의 전위차로 인하여 발생하는 누설전류에 기초하여 바이오 분자가 탈착되는지 여부를 검출한다. | - |
| dc.title | 전계효과 트랜지스터의 게이트 유기 드레인 누설전류를 이용한 바이오센서 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | THE BIOSENSOR USING GATE INDUCED DRAIN LEAKAGE OF FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최성진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김지연 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0036741 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1247112-0000 | - |
| dc.date.application | 2010-04-21 | - |
| dc.date.registration | 2013-03-19 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.