백나노미터 이하의 고정밀 나노 미세패턴 및 자성 금속 점정렬 형성방법Fabrication Method of High Resolution Nanopatterns andMetal Dot Arrays with Sub-100nm Feature Size
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 양승만 | ko |
| dc.contributor.author | 정희태 | ko |
| dc.contributor.author | 최대근 | ko |
| dc.contributor.author | 권기영 | ko |
| dc.contributor.author | 신성철 | ko |
| dc.contributor.author | 정종률 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:03:58Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T12:03:58Z | - |
| dc.date.issued | 2005-11-02 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/235319 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 패턴화를 요하는 금속박막 위에 규칙적인 다공성 고분자 패턴을 형성하는 단계; 마스크용 금속을 상기 형성된 홀에 선택적으로 증착하는 단계; 선택적으로 고분자층을 제거하는 단계; 및 상기 패턴화를 요하는 금속박막을 식각하는 단계를 포함하는 금속점 정렬의 형성방법을 제공한다. 상기 구성에 의하면, 종래 광식각 공정으로는 구현하기 힘든 백나노미터 이하의 미세패턴화가 가능하고, 간단한 공정에 의해 다양한 크기와 모양의 금속패턴을 형성할 수 있다. 또한 미리 원하는 성질의 자성 금속을 증착하므로 자성금속의 선택이 자유롭고, 사용되는 마스크 금속의 성질에 따라 종횡비가 큰 금속패턴을 형성하는 것이 가능하다. | - |
| dc.title | 백나노미터 이하의 고정밀 나노 미세패턴 및 자성 금속 점정렬 형성방법 | - |
| dc.title.alternative | Fabrication Method of High Resolution Nanopatterns andMetal Dot Arrays with Sub-100nm Feature Size | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 양승만 | - |
| dc.contributor.localauthor | 정희태 | - |
| dc.contributor.localauthor | 신성철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최대근 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 권기영 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정종률 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2003-0025194 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0527409-0000 | - |
| dc.date.application | 2003-04-21 | - |
| dc.date.registration | 2005-11-02 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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- CBE-Patent(특허)RIMS Patents
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