저유전율 실록산 보호막 조성물Low-k siloxane passivation layer composition
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 배병수 | ko |
| dc.contributor.author | 양승철 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:56:50Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:56:50Z | - |
| dc.date.issued | 2012-05-15 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/235069 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 박막 트랜지스터의 보호막(passivation layer)으로 사용될 수 있는 솔-젤 반응에 의해 제조되는 불화 유기 올리고실록산에 의한 저유전율 실록산 보호막 조성물에 관한 것이다. 상기의 불화 유기 올리고 실록산은 용액공정이 가능하고 200도 이하의 저온 경화 공정에서도 높은 투명성, 우수한 열안정성, 저유전율, 낮은 누설전류, 평탄성, 접착성의 특성을 지닌 저율전율 실록산 보호막 조성물을 제공한다. | - |
| dc.title | 저유전율 실록산 보호막 조성물 | - |
| dc.title.alternative | Low-k siloxane passivation layer composition | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 배병수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 양승철 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0049051 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1147971-0000 | - |
| dc.date.application | 2010-05-26 | - |
| dc.date.registration | 2012-05-15 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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