메모리 셀 정보 저장 방법

Abstract

본 발명은 메모리 셀에 정보를 저장하는 방법에 관한 것으로, 구동하려는 하나의 워드라인에 대해서 메모리 셀이 연결된 비트라인만을 통해 정보를 써넣는 구조를 도입하여 셀이 연결되지 않은 다른 비트라인이 천이됨으로써 발생하는 불필요한 전력소모를 줄여 메모리의 전체 소비전력을 감소시킬 수 있는 방법을 제공함에 있다. 이를 위해 본 발명은 한 쌍의 비트라인 신호차를 차동 증폭하여 출력하는 센스앰프들을 구비하는 메모리 셀 구조의 정보 저장방법에 있어서, 억세스하고자 하는 메모리 셀이 연결되어 있는 워드라인을 활성화시키는 단계와, 억세스하고자 하는 메모리 셀이 연결되어 있는 한 쌍의 비트라인 신호차를 차동 증폭하여 출력하는 단계와, 상기 메모리 셀이 연결되어 있는 비트라인만을 선택하여 정보를 재기록하는 단계로 이루어짐을 특징으로 한다.비트라인, 전압레벨 천이, 프리차지.