그래핀 게이트 전극을 이용한 비휘발성 메모리 소자NON-VOLATILE MEMORY DEVICE USING GRAPHENE GATE ELECTRODE
본 발명은 높은 일함수 가지며 하부 절연막 열화를 유발하지 않는 새로운 물질인 그래핀(Graphene)을 이용하여 비휘발성 메모리 소자의 메모리 특성을 획기적으로 향상시키는 방법에 관한 것이다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2013-03-12
- Application Date
- 2011-05-04
- Application Number
- 10-2011-0042508
- Registration Date
- 2013-03-12
- Registration Number
- 10-1244768-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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