이중 나선형 인덕터 구조DUAL-LAYER SPIRAL INDUCTOR

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본 발명은 금속선이 이중 나선형으로 형성되어 좌우의 인덕턴스 값이 완전한 대칭을 이루는 인덕터 구조에 관한 것이다. 본 발명에서는 작은 면적을 이용하여 높은 인덕턴스를 얻어 집적 회로용 이중 나선형 인덕터의 면적 효율을 높이고, 이중 나선형 인덕터를 완벽한 대칭 구조로 구현하여 대칭적인 임피던스 특성을 갖도록 한다. 따라서, 작은 면적에서도 큰 값의 인덕턴스를 얻을 수 있는 효과가 있는 것이다. 또한, 총 금속선 길이의 중간에 별도의 포토를 형성하여 인덕턴스의 값이 동일한 두 인덕터를 용이하게 형성할 수 있다.
Assignee
학교법인 한국정보통신학원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2002-08-07
Application Date
1999-07-27
Application Number
10-1999-0030665
Registration Date
2002-08-07
Registration Number
10-0349419-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/234787
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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