나노구조 패턴이 형성된 투명전극 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 나노구조 패턴이 형성된 투명전극 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 물리적 이온 식각공정을 통한 이온 봄바드먼트(ion bombardment) 현상을 이용하여 투명전극상에 고 분해능(high resolution)과 고 종횡비(high aspcet ratio)를 가지는 나노구조 패턴을 형성시킴으로써, 투명전극의 전도성 및 광투과성의 저하 없이 우수한 액정 배향특성을 나타내는 나노구조 패턴이 형성된 투명전극 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 나노구조 패턴이 형성된 투명전극의 제조방법은 물리적 이온 식각을 통한 이온 봄바드먼트 현상을 적용하여 제조됨으로써 간단한 공정과 저렴한 비용으로 높은 다양한 종횡비와 균일성을 가지는 액정의 프리틸트가 형성된 투명전극을 제조할 수 있고, 투명전극으로 직접 액정을 배향시킴으로써 광 투과성이 높을 뿐만 아니라, 저항값 또한 낮아 액정 배향 특성 및 안정성을 향상시켜 제품 성능을 개선할 수 있을 뿐만 아니라, 본 발명에 따른 투명전극이 형성된 두 개의 기판의 배열로 액정의 배향을 원하는 방향으로 정밀하게 조절할 수 있어 다양한 디스플레이 소자에 응용할 수 있다.