커패시터리스 디램 셀 및 그 제조방법CAPACITORLESS DYNAMIC LANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATION METHOD THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 한진우 | ko |
| dc.contributor.author | 최지민 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:39:35Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:39:35Z | - |
| dc.date.issued | 2013-01-07 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234452 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 커패시터리스 디램 셀 제조방법은, 기판 상에 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체를 형성하는 단계; 및 상기 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체를 수직방향으로 패터닝하여 제2 타입-제1 타입-제2 타입의 반도체 접합구조를 완성하는 단계;를 포함한다. | - |
| dc.title | 커패시터리스 디램 셀 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | CAPACITORLESS DYNAMIC LANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATION METHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 한진우 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최지민 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2012-0041245 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1221445-0000 | - |
| dc.date.application | 2012-04-20 | - |
| dc.date.registration | 2013-01-07 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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