루비듐 타이타닐 아스네이트 단결정의 강유전 단일 분역화방법(Fabrication method of ferroelectric single domain of RbTiOAsO4 single crystals)Fabrication method of ferroelectric single domain of RbTiOAsO4 single crystals
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이수석 | ko |
| dc.contributor.author | 윤춘섭 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:35:40Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:35:40Z | - |
| dc.date.issued | 2010-05-27 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234316 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 루비듐 타이타닐 아스네이트(RbTiOAsO4, 이하 "RTA"라 함) 단결정의 강유전 단일 분역화(ferroelectric single domain) 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 상부종자담금법을 포함하는 융제법으로 RTA 결정을 성장시킨 뒤, 결정 성장이 완료된 온도에서 상온까지 온도를 내리는 과정의 온도 조절을 통해 결정 성장 및 상전이 과정에서 발생하는 변형력을 해소 및 이완시켜 결정 전체에서 단일 분역을 갖는 RTA 단결정을 제조할 수 있다. 상기와 같이 제조된 RTA 단결정은 결정 전체에서 단일 분역 구조를 갖기 때문에 모든 부분이 광학 소자로 응용 가능하며, 경제적으로도 효율성을 월등히 높일 수 있다. | - |
| dc.title | 루비듐 타이타닐 아스네이트 단결정의 강유전 단일 분역화방법(Fabrication method of ferroelectric single domain of RbTiOAsO4 single crystals) | - |
| dc.title.alternative | Fabrication method of ferroelectric single domain of RbTiOAsO4 single crystals | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 윤춘섭 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이수석 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0013783 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0961555-0000 | - |
| dc.date.application | 2008-02-15 | - |
| dc.date.registration | 2010-05-27 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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