핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법Hot Electron Based Nanodiode Sensor and Method for Preparing the Same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박정영 | ko |
| dc.contributor.author | 이영근 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:32:10Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:32:10Z | - |
| dc.date.issued | 2013-11-06 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234232 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 광에너지를 측정하기 위해 쇼트키 다이오드 상에 유기염료 분자층이 증착되어 있는 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 핫전자 기반의 나노다이오드 센서는 광반응을 쇼트키 다이오드를 이용하여 직접적으로 측정함으로써, 간단한 공정으로 나노다이오드 센서의 신뢰도와 민감도를 향상시킬 수 있고, 우수한 내구성으로 센서의 수명을 증가시킬 수 있다. | - |
| dc.title | 핫전자 기반의 나노다이오드 센서 및 그 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Hot Electron Based Nanodiode Sensor and Method for Preparing the Same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 박정영 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이영근 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2012-0003026 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1328569-0000 | - |
| dc.date.application | 2012-01-10 | - |
| dc.date.registration | 2013-11-06 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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