금속흡착을 이용한 다결정 규소 박막의 제조방법(Fabrication Method of Polycrystalline Silicon ThinFilms Using Metal Adsorption)
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 안병태 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:30:49Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:30:49Z | - |
| dc.date.issued | 2003-01-10 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234188 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 다결정 규소 박막의 제조방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 LCD용 TFT, SRAM, 태양전지, EEPROM 등의 반도체 소자의 제조에 사용되는 것으로서 비정질 규소 박막에 점도가 높은 금속용액을 이용하여 금속 성분을 흡착시킨 후 열처리함으로써 저온에서 대면적의 다결정 규소 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판에 CVD법 또는 스퍼터링법에 의하여 비정질 규소 박막을 제조하는 공정; 금속원소 또는 금속 화합물을 점도가 높은 유기용매에 녹이거나 묽은 산 또는 물에 녹인 후 점도가 높은 유기용매와 혼합하여 금속용액을 제조하는 공정; 상기 비정질 규소 박막에 상기 금속용액의 피막을 형성하는 공정; 금속용액의 피막을 건조시켜 금속 성분을 흡착시키는 공정; 전기 공정을 통하여 얻은 금속 성분이 흡착된 비정질 규소 박막을 불활성기체 분위기 중에서 400℃에서 600℃의 온도로 열처리하여 결정화시키는 공정을 포함한다. 본 발명은 종래에 열처리 온도를 낮출 수 없는 금속들에도 적용이 가능하여 열처리 온도를 100℃ 이상 낮출 수 있게 되며 물방울이 형성되지 않게 제어하여 균일한 피막을 통해 금속을 흡착시킴으로써 공정의 균일성 및 재현성을 향상시킬 수 있다. | - |
| dc.title | 금속흡착을 이용한 다결정 규소 박막의 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | (Fabrication Method of Polycrystalline Silicon ThinFilms Using Metal Adsorption) | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 안병태 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2000-0024438 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0369446-0000 | - |
| dc.date.application | 2000-05-08 | - |
| dc.date.registration | 2003-01-10 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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