DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 이건재 | ko |
dc.contributor.author | 최인성 | ko |
dc.contributor.author | 최성율 | ko |
dc.contributor.author | 홍병희 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:26:39Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T11:26:39Z | - |
dc.date.issued | 2012-03-09 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234034 | - |
dc.description.abstract | 레이저를 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치가 제공된다. 본 발명에 따른 레이저를 이용한 그래핀 제조방법은 실리콘층 및 실리콘 산화물층이 순차적으로 적층된 기판에 탄소를 함유하는 반응가스를 접촉시키는 단계; 반응가스와 접촉하는 기판에 레이저 빔을 조사하여, 상기 반응가스를 분해시키는 단계를 포함하며, 상기 반응가스의 분해에 따라 상기 기판 상에는 그래핀이 성장하는 것을 특징으로 하며, 본 발명의 그래핀 제조방법에 따르면, 나노초 이상의 펄스를 가지는 레이저 빔을 이용, 펨토초 수준의 분해속도를 갖는 탄소함유 기체(메탄)를 분해시킨다. 이에 따라 대면적으로 그래핀을 성장, 제조할 수 있으며, 더 나아가 원하는 기판 영역으로만 레이저를 선택적으로 조사함으로써 원하는 패턴의 그래핀을 제조할 수 있다. | - |
dc.title | 레이저를 이용한 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀, 이를 위한 제조장치 | - |
dc.title.alternative | Method for manufacturing graphene, graphene manufactured by the same, manufacturing device for the same | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 이건재 | - |
dc.contributor.localauthor | 최성율 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 최인성 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 홍병희 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0091217 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1127742-0000 | - |
dc.date.application | 2010-09-16 | - |
dc.date.registration | 2012-03-09 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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