레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 및 그래핀 반도체 소자를 포함하는 그래핀 트랜지스터Method for manufacturing graphene semiconductor device, graphene semiconductor device manufactured by the same, graphene transistor comprising the graphene semiconductor device
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이건재 | ko |
| dc.contributor.author | 최인성 | ko |
| dc.contributor.author | 최성율 | ko |
| dc.contributor.author | 홍병희 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:26:36Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:26:36Z | - |
| dc.date.issued | 2012-01-31 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/234033 | - |
| dc.description.abstract | 레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 이를 포함하는 그래핀 트랜지스터가 제공된다. 본 발명에 따른 그래핀 반도체 소자 제조방법은 산소 분위기 하에서 기판 상에 형성된 그래핀에 레이저 빔을 조사하여, 상기 그래핀을 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 그래핀 반도체 소자 제조방법은 레이저 빔를 이용하여, 밴드 갭을 그래핀에 형성시켜, 그래핀 반도체 소자의 제조가 가능하다. 더 나아가, 그래핀의 성장과 반도체 소자를 위한 패터닝이 모두 동일한 레이저 빔 조사 방식이므로, 경제성이 우수하다. 또한, 이러한 그래핀 반도체 소자를 이용, 그래핀 트랜지스터를 경제적으로 제조할 수 있다. | - |
| dc.title | 레이저를 이용한 그래핀 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 소자, 및 그래핀 반도체 소자를 포함하는 그래핀 트랜지스터 | - |
| dc.title.alternative | Method for manufacturing graphene semiconductor device, graphene semiconductor device manufactured by the same, graphene transistor comprising the graphene semiconductor device | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 이건재 | - |
| dc.contributor.localauthor | 최성율 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최인성 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 홍병희 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0112383 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1113287-0000 | - |
| dc.date.application | 2011-10-31 | - |
| dc.date.registration | 2012-01-31 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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