광유기 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법, 광 검출기Photo-induced flash memory element and manufacturing method thereof and photodetector
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 김청진 | ko |
| dc.contributor.author | 최성진 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:16:33Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:16:33Z | - |
| dc.date.issued | 2013-06-14 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/233741 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 광유기 플래시 메모리 소자 제조방법은, 채널영역을 갖는 기판 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 게이트를 형성하는 단계; 상기 절연층 및 상기 게이트를 식각하여 상기 채널영역의 길이를갖도록 하는 단계;상기 채널영역을 사이에 두고 서로 이격된 소스 및 드레인을 상기 기판 내에 형성하는 단계; 상기 절연층의 일부를 제거하여 수평방향의 나노갭을 형성하는 단계; 상기 나노갭 내에 터널링 절연층 및 제어 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 나노갭 내에서 상기 터널링 절연층 및 상기 제어 절연층이 형성되지 않은 부위에 광활성 물질을 삽입하는 단계;를 포함한다. | - |
| dc.title | 광유기 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법, 광 검출기 | - |
| dc.title.alternative | Photo-induced flash memory element and manufacturing method thereof and photodetector | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김청진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최성진 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0076104 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1277052-0000 | - |
| dc.date.application | 2011-07-29 | - |
| dc.date.registration | 2013-06-14 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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