본 발명의 실시예는 반도체 소자의 채널 모델링 장치 및 방법에 관한 것이다. 더 상세하게는 DGA(Dummy Gate Assisted) MOSFET(Mmetal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) 등의 반도체소자에서 설계 형태에 따라 채널 영역의 형태가 다양해지는 경우 그 전기적 특성을 빠르게 모델링 함으로써 반도체 설계시의 효율성을 증대하고자 하는 반도체 소자의 채널 모델링 장치 및 방법에 관한 것이다.