비아 매립방법 및 이를 이용한 반도체 패키지의 관통전극 형성방법Method for filling via and method forming through electrode of semiconductor package using the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이원종 | ko |
| dc.contributor.author | 김종훈 | ko |
| dc.contributor.author | 이도선 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T11:02:14Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T11:02:14Z | - |
| dc.date.issued | 2011-06-28 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/233304 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 종횡비 5 이상의 비아를 보이드의 발생없이 매립할 수 있는 비아 매립방법 및 이를 이용한 반도체 패키지의 관통전극 형성방법을 개시하며, 개시된 본 발명에 따른 비아 매립방법은, 하지층에 비아를 형성하는 단계; 상기 비아를 포함한 하지층 상에 촉매 흡착용 박막을 증착하는 단계; 상기 촉매 흡착용 박막의 표면에 균일한 분포로 촉매들을 흡착시키는 단계; 상기 촉매들의 분포가 상기 비아의 입구부분으로부터 바닥으로 갈수록 높은 분포를 나타내는 불균일한 분포로 변경되도록 상기 촉매 흡착용 박막 상에 균일한 분포로 촉매들이 흡착된 결과물에 대해 플라즈마 처리를 수행하는 단계; 및 상기 촉매들이 불균일한 분포로 흡착된 비아 내에 금속막을 매립하는 단계;를 포함한다. | - |
| dc.title | 비아 매립방법 및 이를 이용한 반도체 패키지의 관통전극 형성방법 | - |
| dc.title.alternative | Method for filling via and method forming through electrode of semiconductor package using the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김종훈 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이도선 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원,에스케이하이닉스 주식회사 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2009-0053431 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1046389-0000 | - |
| dc.date.application | 2009-06-16 | - |
| dc.date.registration | 2011-06-28 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- RIMS Patents
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.