플래시 메모리 시스템 및 그것의 플래시 변환 계층 설계 방법FLASH MEMORY SYSTEM AND METHOD OF FLASH TRANSLATION LAYER DESIGN THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 강정욱 | ko |
| dc.contributor.author | 박찬익 | ko |
| dc.contributor.author | 김진수 | ko |
| dc.contributor.author | 이용구 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T10:55:38Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T10:55:38Z | - |
| dc.date.issued | 2015-06-29 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/233076 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명에 따른 플래시 변환 계층의 설계 방법은, 외부의 요청에 따라 논리 주소를 입력받고, 상기 논리 주소에 대응하는 물리 주소를 매핑하되, 상기 주소 매핑은 연속한 논리 주소들 및 상기 논리 주소들에 대응하는 물리 주소들이 하나의 쌍으로 관리된다.FTL, 트리 키, 트리 레코드, 연속 주소 | - |
| dc.title | 플래시 메모리 시스템 및 그것의 플래시 변환 계층 설계 방법 | - |
| dc.title.alternative | FLASH MEMORY SYSTEM AND METHOD OF FLASH TRANSLATION LAYER DESIGN THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김진수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 강정욱 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박찬익 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이용구 | - |
| dc.contributor.assignee | 삼성전자주식회사,한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0101610 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1533744-0000 | - |
| dc.date.application | 2008-10-16 | - |
| dc.date.registration | 2015-06-29 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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- RIMS Patents
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