반도체 장치의 제조방법Method of fabricating semiconductor device
본 발명은 수평 방향의 단결정 나노선을 형성하는 공정의 기술 난이도 및 제조비용을 낮추기 위한 반도체 장치의 제조방법을 위하여, 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계, 상기 제 1 영역의 기판 위에 나노선이 형성될 위치를 정하고 나노선이 채워질 빈 공간을 마련하는 단계, 상기 제 1 영역에 인접한 부위의 기판 표면을 노출시키는 단계, 노출된 기판 표면으로부터 선택적 단결정 성장이 일어나는 단계, 식각공정을 통해 상기 제 1 영역 내에서는 자가정렬(Self-aligned)방식으로 나노선을 형성하고 제 1 영역 밖에서는 제 2 영역의 배선에 필요한 부위를 제외한 나머지 영역의 단결정 성장층을 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 장치의 제조방법을 제공한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2015-10-30
- Application Date
- 2014-09-05
- Application Number
- 10-2014-0118529
- Registration Date
- 2015-10-30
- Registration Number
- 10-1566313-0000
- Appears in Collection
- RIMS Patents
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