DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 박승빈 | ko |
dc.contributor.author | 마흐모드 | ko |
dc.contributor.author | 칼리드 | ko |
dc.contributor.author | 송동수 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T08:25:52Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T08:25:52Z | - |
dc.date.issued | 2012-12-07 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/231842 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은, 투과도가 높고 저항이 낮은 산화아연(ZnO) 박막을 제조하는데 있어 정전분무법을 사용함으로서, 기존에 산화아연 박막을 생성하는 공정에 비해 간단할 뿐만 아니라 입자 구성이 치밀한 박막을 제조하는 방법을 제공하는 것이다. | - |
dc.title | 정전분무법에 의한 산화아연 투명전도성 박막의 제조방법 | - |
dc.title.alternative | Transparent conductive ZnO thin films prepared by electrospraying method | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 박승빈 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 마흐모드 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 칼리드 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 송동수 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0071127 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1212193-0000 | - |
dc.date.application | 2011-07-18 | - |
dc.date.registration | 2012-12-07 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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