독립적으로 구동이 가능하고 다른 일함수를 가지는 이중 게이트 구조를 포함하는 전자-정공 이중층 터널 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조 방법Independent and Different Work Fuction Double Gated electron-hole Bilayer Tunnel Field Effect Transistor and its Fabrication Method
본 발명은 대칭적인 PMOS 및 NMOS 이중 게이트 구조를 가지는 전자-정공 이중층 터널 전계효과 트랜지스터 및 상기 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 이중 게이트 p-i-n구조 및 밴드간 터널링을 이용한 것으로서 문턱전압 이하에서의 기울기의 개선과 동작 전류의 증가를 가져올 수 있고, 대칭구조의 게이트를 제안함으로써 실제 구현가능한 대칭적인 이중 게이트 구조를 가지는 임계 전압(threshold voltage)이 작아져 공급 전력을 줄일 수 있다는 장점이 있는 전자-정공 이중층 터널 전계효과 트랜지스터 및 상기 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2014-07-23
- Application Date
- 2013-01-03
- Application Number
- 10-2013-0000433
- Registration Date
- 2014-07-23
- Registration Number
- 10-1424755-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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