나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법 및 그 방법에 의해 제조된 나노와이어Manufacturing method of nanowire, pattern forming method, and nanowire using the same
본 발명은 나노와이어 제조방법, 나노와이어 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 구리 나노와이어를 산화시킨 후 레이저를 조사하여 산화된 구리 나노와이어를 환원시킴으로써 소결된 나노와이어를 생성하는 나노와이어 제조방법 및 나노와이어 패턴 형성방법에 관한 것이다. 이를위해 나노와이어를 산화시킴으로써 산화 나노와이어를 생성하는 단계(S610); 및 산화 나노와이어를 도포된 환원제와 함께 레이저 조사함으써 소결 및 환원된 나노와이어를 생성하는 단계(S620);를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 제조방법이 개시된다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2014-01-23
- Application Date
- 2011-10-31
- Application Number
- 10-2011-0112150
- Registration Date
- 2014-01-23
- Registration Number
- 10-1357179-0000
- Appears in Collection
- ME-Patent(특허)
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