금속 절연체 전이를 이용한 트랜지스터 및 이를 제조하는 방법APPARATUS FOR TRANSISTOR OF USING METAL INSULATOR TRANSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 신민철 | ko |
| dc.contributor.author | 이재현 | ko |
| dc.contributor.author | 정효은 | ko |
| dc.contributor.author | 이태경 | ko |
| dc.contributor.author | 한명준 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T02:45:42Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T02:45:42Z | - |
| dc.date.issued | 2016-05-10 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/230892 | - |
| dc.description.abstract | 금속 절연체 전이를 이용한 트랜지스터 및 이를 제조하는 방법이 개시된다. 일 실시예에 따른 트랜지스터는 서로 다른 물질이 적층된 기판; 상기 기판의 양 측에 형성되는 소스와 드레인; 및 상기 기판의 상단에 형성되며 압전 물질(Piezoelectric Material)로 이루어지는 게이트를 포함하고, 상기 게이트에 전기적 신호가 가해지는 경우, 상기 압전 물질에 의해 상기 기판은 변형(Strain)이 발생되어 상기 서로 다른 절연 물질이 적층된 경계면에 금속 절연체 전이(Metal-Insulator Transition)가 발생되고, 상기 금속 절연체 전이에 의해 채널이 형성되어 상기 소스와 상기 드레인 사이에 전류가 흐를 수 있다. | - |
| dc.title | 금속 절연체 전이를 이용한 트랜지스터 및 이를 제조하는 방법 | - |
| dc.title.alternative | APPARATUS FOR TRANSISTOR OF USING METAL INSULATOR TRANSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 신민철 | - |
| dc.contributor.localauthor | 한명준 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이재현 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정효은 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이태경 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2014-0028229 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1621604-0000 | - |
| dc.date.application | 2014-03-11 | - |
| dc.date.registration | 2016-05-10 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)PH-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.