금속 나노입자 전자 이동을 이용한 플라즈몬 센서 및 그 제조 방법PLASMON SENSOR USING METAL NANOPATICLE CONDUCTING FEATURES AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최경철 | ko |
| dc.contributor.author | 양기열 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T02:16:22Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T02:16:22Z | - |
| dc.date.issued | 2012-05-04 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/230502 | - |
| dc.description.abstract | 금속 나노입자 전자 이동을 이용한 플라즈몬 센서 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈몬 센서는 기판 상부에 형성되는 유전층; 상기 유전층 상부에 패터닝되어 형성되는 제1, 제2 전극; 및 특정 파장 대역에서 플라즈몬 공명(plasmon resonace)이 발생되어 상기 제1 전극과 상기 제2 전극간 전류가 최대가 되도록, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 금속 나노 입자들이 임베딩되어 형성되는 금속 나노 입자층을 포함할 수 있고, 상기 금속 나노 입자층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이 면적과 상기 금속 나노 입자들이 형성된 면적의 비율에 따라 플라즈몬 공명(plasmon resonace)이 발생되는 상기 특정 파장 대역이 결정될 수도 있으며, 상기 금속 나노 입자들의 평균 크기에 따라 플라즈몬 공명(plasmon resonace)이 발생되는 상기 특정 파장 대역이 결정될 수도 있다. | - |
| dc.title | 금속 나노입자 전자 이동을 이용한 플라즈몬 센서 및 그 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | PLASMON SENSOR USING METAL NANOPATICLE CONDUCTING FEATURES AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최경철 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 양기열 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2009-0110628 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1145133-0000 | - |
| dc.date.application | 2009-11-17 | - |
| dc.date.registration | 2012-05-04 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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