상보적 나노 구조 광전도체 및 이의 제조 방법Complementary Nanostructure Photoconductor and Manufacturing Method thereof
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 최성진 | ko |
| dc.contributor.author | 설명록 | ko |
| dc.contributor.author | 양지원 | ko |
| dc.contributor.author | 이영철 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T01:48:42Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T01:48:42Z | - |
| dc.date.issued | 2012-03-26 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/230015 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명의 상보적 나노 구조 광전도체는 기판; 및 상기 기판 상에 형성된 n-형 광전도체 및 p-형 광전도체를 포함하며, 상기 n-형 광전도체는, n-형으로 도핑된 제1 나노 구조 및 상기 제1 나노 구조 양단에 연결되며 서로 이격되어 형성된 제1 소스 및 드레인을 포함하고, 상기 p-형 광전도체는, p-형으로 도핑된 제2 나노 구조 및 상기 제2 나노 구조 양단에 연결되며 서로 이격되어 형성된 제2 소스 및 드레인을 포함하고, 상기 제1 및 제2 나노 구조는 이에 부착된 광유도 전하전달 물질을 포함하고, 상기 n-형의 도핑 농도가 상기 p-형의 도핑 농도보다 높은 경우, 상기 광유도 전하전달 물질은 빛의 조사에 따라 전자 억셉터 특성을 가지며, 상기 n-형의 도핑 농도가 상기 p-형의 도핑 농도보다 낮은 경우, 상기 광유도 전하전달 물질은 빛의 조사에 따라 전자 도너 특성을 갖는다. | - |
| dc.title | 상보적 나노 구조 광전도체 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | Complementary Nanostructure Photoconductor and Manufacturing Method thereof | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.localauthor | 양지원 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최성진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 설명록 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이영철 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2010-0110355 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1132240-0000 | - |
| dc.date.application | 2010-11-08 | - |
| dc.date.registration | 2012-03-26 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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