자기 메모리 소자MAGNETIC MEMORY DEVICE
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박병국 | ko |
| dc.contributor.author | 이경진 | ko |
| dc.contributor.author | 이현우 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T01:31:44Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T01:31:44Z | - |
| dc.date.issued | 2016-12-01 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/229889 | - |
| dc.description.abstract | 자기 메모리 소자는, 고정 자성층, 절연층 및 자유 자성층이 각각 순차적으로 적층된 터널 접합 단위셀들, 상기 단위셀들에 면내 전류를 공급하며, 상기 자유 자성층에 인접하게 배치된 반강자성(antiferromagnetic)층 및 상기 반강자성층에 인접하게 배치되며 면내 자기이방성을 갖는 강자성층을 갖는 도선체 및 상기 터널 접합 단위셀들 각각에 독립적으로 선택 전압을 인가하는 전압 인가부를 포함하고, 상기 면내 전류 및 상기 선택 전압에 의해서 터널 접합 단위셀들 각각의 자화 방향을 선택적으로 변화시킬 수 있다. | - |
| dc.title | 자기 메모리 소자 | - |
| dc.title.alternative | MAGNETIC MEMORY DEVICE | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 박병국 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이경진 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이현우 | - |
| dc.contributor.assignee | 고려대학교 산학협력단,한국과학기술원,포항공과대학교 산학협력단 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2015-0066853 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1683440-0000 | - |
| dc.date.application | 2015-05-13 | - |
| dc.date.registration | 2016-12-01 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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