무카드뮴 버퍼층을 이용한 ＣＩＧＳ 박막태양전지의 충실도 향상 방법Method to enhance the fill factor of CIGS thin film solar cells using Cd-free buffer layers
본 발명은 넓은 밴드갭에너지를 가지는 산화물 및 황화물과 같은 무(無)카드뮴 버퍼층을 사용한 Cu(In,Ga)Se2(이하 "CIGS"라고 약칭한다.) 박막태양전지의 충실도를 향상시키기 위한 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 버퍼층으로 사용된 산화물 및 황화물 박막을 원자층증착법을 이용하여 제조할 때 박막내부의 조성을 조절하여 서로 다른 전기적 특성을 갖는 이중층의 구조를 가지는 버퍼층을 제조한다. 따라서 전기전도도가 낮은 산화물이나 황화물을 버퍼층으로 사용한 CIGS 박막태양전지에서 발생한 비교적 낮은 충실도 문제를 해결할 수 있다. 본 발명으로 제조된 이중층의 버퍼층을 사용한 CIGS 박막 태양전지의 구조 및 그 태양전지의 충실도와 광변환 효율 향상시킬 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2014-09-03
- Application Date
- 2012-12-21
- Application Number
- 10-2012-0150409
- Registration Date
- 2014-09-03
- Registration Number
- 10-1439992-0000
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
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