DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 김정호 | ko |
dc.contributor.author | 조창현 | ko |
dc.contributor.author | 김종훈 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T01:22:38Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T01:22:38Z | - |
dc.date.issued | 2013-12-04 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/229639 | - |
dc.description.abstract | 적층 집적회로소자의 토로이드를 개시한다. 토로이드는 2층 내지 4층의 칩들을 관통하고, 관통비아의 둘레에 근접해서 배열된 n개의 근접관통비아(NTSV)들과, 2층 내지 4층의 칩들을 관통하고, 관통비아의 둘레에 원접해서 배열된 n개의 원접관통비아(FTSV)들을 포함한다. 또한 4층의 칩 표면상에 형성되고, n개의 근접 및 원접관통비아들 중 서로 대응하는 n개의 근접 및 원접관통비아 쌍(NFPA)들 각각을 상호 전기적으로 연결하기 위한 n개의 제1표면 배선패턴들과, 2층의 칩 표면상에 형성되고, n개의 근접 및 원접관통비아 쌍(NFPA)들 중 서로 인접하는 쌍들(NFPA i-1)(NFPA i)(NFPA i+1) 중 어느 한 쌍(NFPA i)의 근접관통비아와 다른 한 쌍(NFPA i-1)의 원접관통비아를 상호 전기적으로 연결하고, 어느 한 쌍(NFPA i)의 원접관통비아와 또 다른 한 쌍(NFPA i+1)의 근접관통비아를 상호 전기적으로 연결하기 위한 n-1 개의 제2표면 배선패턴들을 포함한다. 따라서 본 발명의 토로이드는 관통비아 둘레에 작은 크기로 간단하게 구현할 수 있으므로 적층 집적회로소자에서 관통비아를 통해 흐르는 전류측정을 정확하게 할 수 있다. | - |
dc.title | 임베디드 토로이드 및 그 제조방법과 적층 집적회로소자 | - |
dc.title.alternative | Embedded Toroid and Method Manufacturing thereof, and Stack Integral Circuit Device | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 김정호 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 조창현 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2012-0006104 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1339961-0000 | - |
dc.date.application | 2012-01-19 | - |
dc.date.registration | 2013-12-04 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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