임베디드 토로이드 및 그 제조방법과 적층 집적회로소자

Abstract

적층 집적회로소자의 토로이드를 개시한다. 토로이드는 2층 내지 4층의 칩들을 관통하고, 관통비아의 둘레에 근접해서 배열된 n개의 근접관통비아(NTSV)들과, 2층 내지 4층의 칩들을 관통하고, 관통비아의 둘레에 원접해서 배열된 n개의 원접관통비아(FTSV)들을 포함한다. 또한 4층의 칩 표면상에 형성되고, n개의 근접 및 원접관통비아들 중 서로 대응하는 n개의 근접 및 원접관통비아 쌍(NFPA)들 각각을 상호 전기적으로 연결하기 위한 n개의 제1표면 배선패턴들과, 2층의 칩 표면상에 형성되고, n개의 근접 및 원접관통비아 쌍(NFPA)들 중 서로 인접하는 쌍들(NFPA i-1)(NFPA i)(NFPA i+1) 중 어느 한 쌍(NFPA i)의 근접관통비아와 다른 한 쌍(NFPA i-1)의 원접관통비아를 상호 전기적으로 연결하고, 어느 한 쌍(NFPA i)의 원접관통비아와 또 다른 한 쌍(NFPA i+1)의 근접관통비아를 상호 전기적으로 연결하기 위한 n-1 개의 제2표면 배선패턴들을 포함한다. 따라서 본 발명의 토로이드는 관통비아 둘레에 작은 크기로 간단하게 구현할 수 있으므로 적층 집적회로소자에서 관통비아를 통해 흐르는 전류측정을 정확하게 할 수 있다.