DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 최양규 | ko |
dc.contributor.author | 김국환 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T01:17:50Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T01:17:50Z | - |
dc.date.issued | 2009-05-07 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/229472 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 셀은 기판, 기판의 활성영역 상에 형성된 제1산화막, 활성영역 내에 형성된 소오스와 드레인, 제1산화막 상에 형성된 전하저장부, 전하저장부를 포위하고, 제1산화막 상에 형성된 제2산화막 및 제2산화막을 포위하도록 형성된 게이트를 포함한다. 이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 셀, 이를 포함하는 셀 어레이는 전하저장부가 게이트 또는 게이트라인에 의해 완전히 포위됨으로써, 인접한 다른 게이트 또는 게이트라인 내부에 형성된 셀에 의한 메모리 동작으로 발생할 수 있는 셀간 간섭현상을 최소화 할 수 있다. 게이트 라인, 탄소나노튜브(carbon nanotube), 플러린(fullerene), 나노결정 | - |
dc.title | 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법 | - |
dc.title.alternative | NON-VOLATILE MEMORY CELL AND THE METHOD OF MANUFACTURING THEREOF | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김국환 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2007-0024835 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0897515-0000 | - |
dc.date.application | 2007-03-14 | - |
dc.date.registration | 2009-05-07 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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