비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법

Abstract

본 발명은 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명에 따른 비휘발성 디램 소자는 기판 상에 형성된 이온주입층, 이온주입층 상에 형성된 부유바디셀, 부유바디셀 좌우에 형성된 소오스와 드레인 및 부유바디셀 표면 상에 형성된 비휘발성 게이트구조체를 포함한다. 이러한 본 발명에 따르면, 전원공급이 중단되더라도 비휘발성 메모리 소자와 같이 단위 셀 안에 저장된 데이터를 유지할 수 있고, 전원공급시에는 디램과 같이 고속으로 동작할 수 있는 비휘발성 디램 소자와 그 제조방법 및 그 구동방법을 제공하는 효과가 있다.비휘발성 메모리(Non-Volatile Memory), 디램(DRAM-Dynamic Random Access Memory), 부유 게이트(Floating Gate), SOI(Silicon On Insulator)