접착개선된 비정질탄소막을 이용한 ＭＥＭＳ 디바이스 제조방법

Abstract

비정질탄소막을 희생층으로 이용한 MEMS 디바이스 제조 방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 금속패턴을 포함하는 하부 구조물을 형성하는 단계; 상기 하부 구조물의 금속패턴을 덮으며, 산화막, 질화막, 질산화막 및 비정질실리콘막 중 적어도 하나를 포함하는, 접착강화층을 형성하는 단계; 상기 접착강화층 상에 희생층으로서 비정질탄소막을 형성하는 단계; 상기 비정질탄소막 상에 절연지지층을 형성하는 단계; 상기 절연지지층 상에 식각 보호막을 형성하고 한 번의 포토리소그래피 공정만을 수행하여 상기 절연지지층 및 상기 비정질탄소막을 한 번에 식각하여, 상기 절연지지층 및 상기 비정질탄소막을 관통하여 상기 하부 구조물을 노출하는 비어홀들을 형성하는 단계; 상기 절연지지층 상에 센서 구조를 포함하는 상부 구조물을 형성하는 단계; 상기 절연지지층을 관통하는 적어도 하나의 관통홀을 형성하는 단계; 및 상기 하부 구조물과 상기 상부 구조물이 서로 이격되어 배치되도록, 상기 관통홀들을 통해서 상기 비정질탄소막을 모두 제거하는 단계;를 포함한다.