DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 이건재 | ko |
dc.contributor.author | 최인성 | ko |
dc.contributor.author | 최성율 | ko |
dc.contributor.author | 홍병희 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T01:04:27Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T01:04:27Z | - |
dc.date.issued | 2012-08-02 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/229189 | - |
dc.description.abstract | 레이저를 이용한 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 및 그래핀 트랜지스터가 제공된다.본 발명에 따른 반도체 소자 제조방법은 기판상에 붕소 함유 도핑가스 및 질소 함유 도핑 가스를 동시에 흘리면서, 레이저 빔을 상기 기판에 조사하여 질화붕소층을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명의 반도체 소자 제조방법은 그래핀과 동일한 결정구조를 갖는 질화붕소(Boron Nitride(BN))를 레이저 빔으로 제조한다. 더 나아가, 상기 질화붕소층 상에 동일 방식으로 그래핀을 적층하고, 다시 레이저 빔으로 이를 패터닝하여, 그래핀 소자의 밴드갭을 조절하며, 그 결과 그래핀 반도체 소자가 효과적으로 제조될 수 있다. 따라서, 종래의 실리콘 기판에서 제조된 트랜지스터 소자보다 캐리어 이동도가 상당 수준 향상된다. | - |
dc.title | 레이저를 이용한 반도체 소자 제조방법, 이에 의하여 제조된 그래핀 반도체 및 그래핀 트랜지스터 | - |
dc.title.alternative | Method for manufacturing semiconductor device, graphene semiconductor and transistor manufactured by the same | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 이건재 | - |
dc.contributor.localauthor | 최성율 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 최인성 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 홍병희 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2011-0006115 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1172625-0000 | - |
dc.date.application | 2011-01-21 | - |
dc.date.registration | 2012-08-02 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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