커패시터리스 디램 및 이의 제조 방법THE CAPACITORLESS DRAM AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최양규 | ko |
| dc.contributor.author | 한진우 | ko |
| dc.contributor.author | 김동현 | ko |
| dc.contributor.author | 김정우 | ko |
| dc.contributor.author | 김진수 | ko |
| dc.contributor.author | 송명호 | ko |
| dc.contributor.author | 오재섭 | ko |
| dc.contributor.author | 박윤창 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T01:03:00Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T01:03:00Z | - |
| dc.date.issued | 2011-07-06 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/229131 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 커패시터리스 디램(capacitorless DRAM) 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 기판상에 연속하여 형성된 소스, 채널 및 드레인, 상기 채널상에 형성된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트, 및 상기 채널 내부에 형성된 게르마늄층 또는 게르마늄점을 포함한다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 실리콘 기판에 형성된 게르마늄의 연속적인 층 혹은 불연속적인 점이 정공 배리어를(hole barrier) 변화 시켜서 정공(hole)을 효과적으로 모을 수 있기 때문에 정공저장능력이 향상된다. | - |
| dc.title | 커패시터리스 디램 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | THE CAPACITORLESS DRAM AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최양규 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 한진우 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김동현 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김정우 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김진수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 송명호 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 오재섭 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박윤창 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0121159 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1048660-0000 | - |
| dc.date.application | 2008-12-02 | - |
| dc.date.registration | 2011-07-06 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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