수직형 트랜지스터 소자VERTICAL TRANSISTOR DEVICE
본 발명은 수직형 트랜지스터 소자에 관한 발명이다. 본 발명에 따른 수직형 트랜지스터 소자는, 부도체인 기판, 기판 상에 소정 간격으로 수직으로 세워진 복수 개의 나노선, 기판의 표면 및 복수 개의 나노선의 표면 상에 기판 및 복수 개의 나노선을 덮도록 형성되는 유전층, 복수 개의 나노선의 사이이고, 또한, 기판의 표면 상에 형성된 유전층 상에, 기판과 대략 평행으로 차례로 형성된 제1 전도층, 반도체층, 제2 전도층을 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2011-02-22
- Application Date
- 2008-09-19
- Application Number
- 10-2008-0091931
- Registration Date
- 2011-02-22
- Registration Number
- 10-1018294-0000
- Appears in Collection
- ME-Patent(특허)
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