강유전체 또는 일렉트렛 메모리 장치

Abstract

본 발명은 강유전체 또는 일렉트렛 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 메모리 장치는 하나 이상의 평행한 제1 전극라인, 제1 전극라인에 대하여 교차하는 방향으로 형성된 하나 이상의 평행한 제2 전극라인, 제1 전극라인 및 제2 전극라인 사이에 형성되고, 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 메모리부, 제1 전극라인에 접속되고, 메모리부의 데이터 판독 시 제1 전극라인으로 인가되는 입력신호를 발생시키는 신호 발생부, 제2 전극라인에 접속된 인덕턴스 소자 및 제2 전극라인과 인덕턴스 소자 간의 접속노드에 접속되고, 히스테리시스 특성을 이용하여 접속노드의 신호의 크기를 두 개의 기준신호의 크기와 비교하고, 비교결과에 따라 메모리부의 논리 상태를 감지하는 신호 감지부를 포함한다. 본 발명에 따르면 1/3 전압 선택 규칙에 따른 전압보다 더 작은 크기의 전압을 이용하여 데이터 읽기 동작이 수행되므로 메모리 셀 간의 전기적 간섭현상을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 기존의 메모리 장치보다 데이터 읽기 동작 시 에러를 줄여줌으로써, 보다 안정적으로 데이터 읽기 동작을 수행 할 수 있다. 또한, 본 발명의 데이터 읽기 방식을 능동 매트릭스 구조에 적용할 경우 메모리 장치의 집적도를 향상시킬 수 있다. 강유전체, 일렉트렛, 수동 매트릭스, 능동 매트릭스, 공진 주파수, 쉬미트-트리거(Schmitt-trigger) 회로