DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 장홍영 | ko |
dc.contributor.author | 박민 | ko |
dc.contributor.author | 채수항 | ko |
dc.contributor.author | 안승규 | ko |
dc.date.accessioned | 2017-12-20T00:55:57Z | - |
dc.date.available | 2017-12-20T00:55:57Z | - |
dc.date.issued | 2010-07-05 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/228955 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 이 장치는 RF 전력을 공급하는 제1 전원부, 제1 전원부와 직렬 연결되는 제1 정합회로부, 진공을 형성하는 챔버부, 제 1 정합회로부와 전기적으로 연결되고 챔버부 내부에 배치되는 전극부, 전극부의 표면에 형성된 다이아몬드라이크카본층(diamond like carbon layer:DLC layer), 및 다이아몬드라이크카본(DLC) 층에서 이온이 입사하여 중성화된 중성빔을 통과시키는 중성빔 추출부를 포함한다. | - |
dc.title | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | - |
dc.title.alternative | SUBSTRATE TREATMNET APPARATUS AND SUBSTRATE TREATMNET METHOD | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 장홍영 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 박민 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 채수항 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 안승규 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2008-0077082 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0969520-0000 | - |
dc.date.application | 2008-08-06 | - |
dc.date.registration | 2010-07-05 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.