2차원 반도체, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 반도체 소자TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR, PRODUCING METHOD THEREOF, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME
두께에 따라 에너지 밴드 간격이 달라지는 특성을 갖는 2차원 반도체, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 반도체 소자가 개시된다. 일 실시예에 따른 2차원 반도체는 제1 두께로 형성된 제1 레이어와, 제2 두께로 형성된 제2 레이어를 포함하고, 상기 제1 두께와 상기 제2 두께는 서로 상이하고, 상기 제1 레이어는 제1 전극과 제1 접합을 형성하고, 상기 제2 레이어는 제2 전극과 제2 접합을 형성한다.
- Assignee
- 건국대학교 산학협력단,한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2017-10-26
- Application Date
- 2016-07-01
- Application Number
- 10-2016-0083620
- Registration Date
- 2017-10-26
- Registration Number
- 10-1792953-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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